China Patent Portfolio
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- CN112086402A 具有跨过界面的桥接件的线路板
- CN112420652A 具有加强层及弯翘平衡件的互连基板及其半导体组体
- CN111885810A 导热线路板及其半导体组体
- CN110783300A 具有調節件及防裂結構的導線架襯底及其覆晶組體
- CN110246836A 具嵌埋式组件及加强层的线路板、其制法及半导体组体
- CN110277364A 整合元件及导线架的线路板及其制法
- CN110047811A 线路基板、堆叠式半导体组件及其制作方法
- CN111162053A 具有应力调节件的互连基板、其覆晶组件及其制作方法
- CN110767622A 具有应力调节件的互连基板、其覆晶组件及其制作方法
- CN109686715A 适用于可堆叠式半导体组件的具有凹穴的互连基板及其制法
- CN110223971A 具有散热特性的三维可堆叠式半导体组体
- CN110047797A 线路基板、其叠层式半导体组体及其制作方法
- CN108933113A 设有电隔离件及基底板的线路板、其半导体组体及其制法
- CN110021577A 设有电性元件的导线架基板及其半导体组体
- CN110087393A 中介层及电性元件并于基底板中的线路板制法
- CN108695274A 三维整合的散热增益型半导体组件及其制作方法
- CN108695274B 三维整合的散热增益型半导体组件及其制作方法
- CN108400117A 三维整合的散热增益型半导体组件及其制作方法
- CN108400118A 三维整合的半导体组件及其制作方法
- CN108235559A 具有隔离件及桥接件的线路板及其制法
- CN108109974A 具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件及制作方法
- CN108109974B 具有电磁屏蔽及散热特性的半导体组件及制作方法
- CN107230640A 具散热座及双增层电路的散热增益型半导体组件及其制法
- CN107958876A 具有嵌入式元件及加强层的线路板及其制法
- CN107958883A 具有散热座的散热增益型面对面半导体组件及制作方法
- CN107809837A 具双加强层及整合双路由电路的线路板及其制法
- CN107809837B 具有双加强层及整合双路由电路的线路板及其制作方法
- CN106505062A 互连基板、其制作方法及垂直堆叠式半导体组件
- CN106504999A 具内建金属块及防潮盖的散热增益型线路板及其制备方法
- CN106504997A 具电性隔离件及防潮盖的线路板制备方法及其半导体组件
- CN106504997B 具电性隔离件及防潮盖的线路板制备方法及其半导体组件
- CN106486459A 介电材凹穴内设有半导体元件的面朝面半导体组件
- CN106409777A 底部元件限制于介电材凹穴内的封装叠加半导体组件
- CN106206488A 内建散热座的散热增益型面朝面半导体组体及制作方法
- CN106206488B 内建散热座的散热增益型面朝面半导体组体及制作方法
- CN106409700A 介电材凹穴内设有电性元件的可堆叠式线路板制作方法
- CN106409700B 介电材凹穴内设有电性元件的可堆叠式线路板制作方法
- CN106057745A 设有加强层及整合双路由电路的半导体组件及制作方法
- CN106057745B 设有加强层及整合双路由电路的半导体组件及制作方法
- CN105932008A 低弯翘无芯基板及其半导体组体
- CN105789173A 整合中介层及双布线结构的线路板及其制作方法
- CN105789058A 中介层嵌置于加强层中的线路板及其制作方法
- CN105789173B 整合中介层及双布线结构的线路板及其制作方法
- CN105702649A 具有整合双布线结构的线路板及其制作方法
- CN105702649B 具有整合双布线结构的线路板及其制作方法
- CN104900782A 具有隔离件的散热增益型线路板制作方法
- CN104900782B 具有隔离件的散热增益型线路板制作方法
- CN104851812A 半导体元件及其制作方法
- CN104851812B 半导体元件及其制作方法
- CN104733332A 具有堆叠式封装能力的半导体封装件及其制作方法
- CN104733332B 具有堆叠式封装能力的半导体封装件及其制作方法
- CN104810320A 半导体组件及其制作方法
- CN104810320B 半导体组件及其制作方法
- CN104882416A 具有堆叠式封装能力的半导体封装件及其制作方法
- CN104882416B 具有堆叠式封装能力的半导体封装件及其制作方法
- CN104576409A 中介层上设有面对面芯片的半导体元件及其制作方法
- CN104576409B 中介层上设有面对面芯片的半导体元件及其制作方法
- CN104701187A 半导体装置以及其制备方法
- CN104349593A 具有散热垫及电性突柱的散热增益型线路板
- CN104349583A 具有复合芯层及双增层电路的线路板
- CN104039070A 具有内建散热座及增层电路的散热增益型线路板
- CN103811475A 具有背对背内嵌半导体元件及内建定位件的半导体组体板
- CN103779333A 具有内嵌元件、及电磁屏障的线路板
- CN103779333B 具有内嵌元件及电磁屏障的线路板
- CN103716992A 具有内嵌元件、内建定位件、及电磁屏障的线路板
- CN103633060A 具有内嵌元件及电磁屏障的线路板
- CN103633060B 具有内嵌元件及电磁屏障的线路板
- CN103596386A 制造具有内建定位件的复合线路板的方法
- CN103594444A 在中介层及无芯基板之间具有双重连接通道的半导体组件
- CN103594379A 具有内嵌半导体以及内建定位件的连线基板及其制造方法
- CN103596386B 制造具有内建定位件的复合线路板的方法
- CN103594379B 具有内嵌半导体以及内建定位件的连线基板及其制造方法
- CN103594444B 在中介层及无芯基板之间具有双重连接通道的半导体组件
- CN103594381A 具有内建定位件的半导体组体,及其制造方法
- CN103596354A 具有内建定位件、中介层、以及增层电路的复合线路板
- CN103596354B 具有内建定位件、中介层、以及增层电路的复合线路板
- CN103515247A 具有内建加强层的凹穴基板的制造方法
- CN103515247B 具有内建加强层的凹穴基板的制造方法
- CN103377949A 具有内建加强层的凹穴基板及其制造方法
- CN103107144A 三维半导体组装板
- CN103107144B 三维半导体组装板
- CN102646646A 具有非对称凸柱/基座/凸柱散热座的半导体芯片组体
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- CN102479724A 一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法
- CN102479725A 具有散热座及增层电路的散热增益型半导体组件制备方法
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- CN102629561A 叠层式半导体组件制备方法
- CN102479725B 具有散热座及增层电路的散热增益型半导体组件制备方法
- CN102479724B 一种散热增益型堆叠式半导体组件的制作方法
- CN102629561B 叠层式半导体组件制备方法
- CN102479762A 散热增益型半导体组件
- CN102479762B 散热增益型半导体组件
- CN102456637A 具有凸块/基座的散热座及凸块内含凹穴的半导体芯片组体
- CN102456828A 具有凸块/基座的散热座及半导体芯片组
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- CN102820267A 插销式半导体封装堆栈结构
- CN102595767A 行动电子产品电路板结构及其制作方法
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- CN102593307A 发光二极管光学反射结构
- CN102130084A 具有凸柱/基座的散热座及讯号凸柱的半导体芯片组体
- CN102130084B 具有凸柱/基座的散热座及讯号凸柱的半导体芯片组体
- CN102074518A 具有凸柱/基座的散热座及导线的半导体芯片组体
- CN102064265A 具有凸柱/基座的散热座及基板的半导体晶片组体
- CN102064265B 具有凸柱/基座的散热座及基板的半导体晶片组体
- CN102117877A 半导体芯片组体
- CN102117801A 高功率型发光二极管模块结构及其制作方法
- CN102117801B 高功率型发光二极管模块结构制作方法
- CN102117877B 半导体芯片组体
- CN102104102A 半导体芯片组体
- CN102104102B 半导体芯片组体
- CN101908510A 具散热封装结构的半导体装置及其制作方法
- CN101908510B 具有散热封装结构的半导体装置及其制作方法
- CN101877334A 具散热增益的半导体装置
- CN101877334B 具散热增益的半导体装置
- CN101546761A 高功率型发光二极管模块封装结构
- CN101553094A 具埋藏式金属导通柱的线路板制作方法
- CN101553094B 具埋藏式金属导通柱的线路板制作方法
- CN101436551A 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101436551B 铜核层多层封装基板的制作方法
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- CN101436639B 发光二极管封装基板的制作方法
- CN101436550B 无核层多层封装基板的制作方法
- CN101436549A 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101436549B 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101436548A 无核层多层封装基板的制作方法
- CN101436548B 无核层多层封装基板的制作方法
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- CN101677068A 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101677067A 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101436547B 高散热性封装基板的制作方法
- CN101677066B 增层线路板的制作方法
- CN101677068B 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101677067B 铜核层多层封装基板的制作方法
- CN101527266A 增层线路板的制作方法
- CN101527266B 增层线路板的制作方法
- CN101459152A 具金属接点导孔的堆栈式半导体封装结构
- CN101459152B 具金属接点导孔的堆栈式半导体封装结构
- CN101373760A 高散热内存模块结构
- CN1921096A 焊接端具有金属壁的半导体芯片封装结构
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- CN100440469C 焊接端具金属壁的半导体芯片封装结构的制造方法
- CN1411044A 连接一传导线迹至一半导体芯片的方法
- CN1222025C 连接一传导线迹至一半导体芯片的方法